Photo Diode &
Transistor
빛을 전기 신호로 변환하는 광반도체 소자입니다. Photo Diode는 빠른 응답성과 우수한 선형성을 제공하며, Photo Transistor는 높은 광전류 이득을 활용해 미세한 광신호를 효과적으로 감지합니다.
- 적용 분야
- 광통신, 산업용 센서, 자동화 장비, 거리 및 위치 감지
- 주요 특징
- 고감도, 빠른 응답, 낮은 암전류, 다양한 패키지 대응
P&L SEMI는 광센서와 반도체 소자, 패키징 부품을 중심으로 다양한 제품을 생산합니다.

고감도 광검출, 회로 보호, 광학 모듈 패키징에 필요한 반도체 제품을 제공합니다.
빛을 전기 신호로 변환하는 광반도체 소자입니다. Photo Diode는 빠른 응답성과 우수한 선형성을 제공하며, Photo Transistor는 높은 광전류 이득을 활용해 미세한 광신호를 효과적으로 감지합니다.
일정한 항복 전압 특성을 이용해 전압을 안정화하고 민감한 회로를 과전압으로부터 보호하는 반도체 소자입니다. 안정적인 전압 기준과 서지 보호가 필요한 전자 회로에 적용됩니다.
레이저 다이오드, 포토 다이오드 및 광학 소자를 안정적으로 실장하기 위한 패키징 부품입니다. 열 방출과 전기적 연결, 정밀한 소자 정렬을 지원하여 광모듈의 성능과 신뢰성을 높입니다.

Avalanche Photo Diode 기반의 고감도 광센서로, 내부 증배 효과를 통해 매우 약한 광신호도 검출할 수 있습니다. 장거리 거리 측정과 고속 광통신처럼 높은 감도와 빠른 응답이 필요한 시스템에 적합합니다.

자외선 영역을 선택적으로 감지하는 Detector와 미세 광신호를 처리하는 ROIC를 결합한 센서 솔루션입니다. 자외선 세기 측정, 화염 감지, 환경 및 산업용 모니터링 시스템에 적용할 수 있습니다.